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Infineon Technologies AUIRF7669L2TR

Name: AUIRF7669L2TR
Brand: Infineon Technologies
SKU: AUIRF7669L2TR
Price: 2.223528 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (764 reviews)

Número da peça MFG: AUIRF7669L2TR

Quantidade disponível: 73050 Peças

Preço de referência: USD 2.223528

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Infineon Technologies

Descrição breve: HEXFET® MOSFET N-CH 100V 375A DIRECTFET

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: AUIRF7669L2TR.pdf

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AUIRF7669L2TR Especificações

Número da peça de fabricante	AUIRF7669L2TR
Número da peça futura	FT-AUIRF7669L2TR
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	HEXFET®
AUIRF7669L2TR Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	19A (Ta), 114A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.4 mOhm @ 68A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	120nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	5660pF @ 25V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	3.3W (Ta), 100W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	DIRECTFET L8
Pacote / caso	DirectFET™ Isometric L8
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
AUIRF7669L2TR Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	AUIRF7669L2TR-FT

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