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Infineon Technologies IPL60R2K1C6SATMA1

Name: IPL60R2K1C6SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPL60R2K1C6SATMA1
Availability: InStock
Rating: 4.6 (329 reviews)

Número da peça MFG: IPL60R2K1C6SATMA1

Quantidade disponível: 66120 Peças

Preço de referência: USD 0

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Infineon Technologies

Descrição breve: CoolMOS™ C6 MOSFET N-CH 8TSON

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: IPL60R2K1C6SATMA1.pdf

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IPL60R2K1C6SATMA1 Especificações

Número da peça de fabricante	IPL60R2K1C6SATMA1
Número da peça futura	FT-IPL60R2K1C6SATMA1
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	CoolMOS™ C6
IPL60R2K1C6SATMA1 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	2.3A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.1 Ohm @ 760mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 60µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	6.7nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	140pF @ 100V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	21.6W (Tc)
Temperatura de operação	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	Thin-PAK (5x6)
Pacote / caso	8-PowerTDFN
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPL60R2K1C6SATMA1 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	IPL60R2K1C6SATMA1-FT

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