casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BSC060P03NS3EGATMA1
Número da peça de fabricante | BSC060P03NS3EGATMA1 |
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Número da peça futura | FT-BSC060P03NS3EGATMA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
BSC060P03NS3EGATMA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 17.7A (Ta), 100A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.1V @ 150µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 81nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±25V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 6020pF @ 15V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 2.5W (Ta), 83W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TDSON-8 |
Pacote / caso | 8-PowerTDFN |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSC060P03NS3EGATMA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BSC060P03NS3EGATMA1-FT |
BSC0906NSATMA1
Infineon Technologies
BSC090N03LSGATMA1
Infineon Technologies
BSC097N06NSATMA1
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BSC130P03LSGAUMA1
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BSC160N15NS5ATMA1
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BSC882N03LSGATMA1
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BSZ075N08NS5ATMA1
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BSZ086P03NS3EGATMA1
Infineon Technologies
XC7A100T-2FTG256I
Xilinx Inc.
APA450-FGG484A
Microsemi Corporation
10AX032E4F27I3SG
Intel
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC7K325T-L2FBG900I
Xilinx Inc.
LFXP3C-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-5E-6MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N4F40I3LG
Intel
EP1AGX35DF780C6
Intel
EP1S40F1020C5N
Intel