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Infineon Technologies IPI80N06S2L11AKSA1

Name: IPI80N06S2L11AKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPI80N06S2L11AKSA1
Availability: InStock
Rating: 4.7 (137 reviews)

Número da peça MFG: IPI80N06S2L11AKSA1

Quantidade disponível: 95970 Peças

Preço de referência: USD 0

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Infineon Technologies

Descrição breve: OptiMOS™ MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: IPI80N06S2L11AKSA1.pdf

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IPI80N06S2L11AKSA1 Especificações

Número da peça de fabricante	IPI80N06S2L11AKSA1
Número da peça futura	FT-IPI80N06S2L11AKSA1
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	OptiMOS™
IPI80N06S2L11AKSA1 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Discontinued at Future Semiconductor
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	55V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	80A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 93µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	80nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2075pF @ 25V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	158W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	PG-TO262-3
Pacote / caso	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPI80N06S2L11AKSA1 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	IPI80N06S2L11AKSA1-FT

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