casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPI076N12N3GAKSA1
Número da peça de fabricante | IPI076N12N3GAKSA1 |
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Número da peça futura | FT-IPI076N12N3GAKSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
IPI076N12N3GAKSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 120V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.6 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 130µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 101nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 6640pF @ 60V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 188W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO262-3 |
Pacote / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPI076N12N3GAKSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPI076N12N3GAKSA1-FT |
IPW65R110CFDFKSA1
Infineon Technologies
IPW65R190C6FKSA1
Infineon Technologies
IPW65R190CFDFKSA1
Infineon Technologies
IPW65R190E6FKSA1
Infineon Technologies
IPW65R280C6FKSA1
Infineon Technologies
IPW65R280E6FKSA1
Infineon Technologies
IPW65R310CFDFKSA1
Infineon Technologies
IPW65R420CFDFKSA1
Infineon Technologies
IPW65R660CFDFKSA1
Infineon Technologies
IPW80R280P7XKSA1
Infineon Technologies
LFXP3C-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C6N
Intel
10AX016C4U19I3SG
Intel
5SGSED6K2F40C2N
Intel
5CGXFC7B6M15I7N
Intel
EP4SGX530KH40C3NES
Intel
5SGXEA5K1F35I2N
Intel
XC6VLX365T-1FF1156I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-6BG332C
Lattice Semiconductor Corporation