casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPI070N06N G
Número da peça de fabricante | IPI070N06N G |
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Número da peça futura | FT-IPI070N06N G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
IPI070N06N G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 60V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7 mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 180µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 118nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4100pF @ 30V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 250W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO262-3 |
Pacote / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPI070N06N G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPI070N06N G-FT |
IPW60R299CPFKSA1
Infineon Technologies
IPW65R045C7300XKSA1
Infineon Technologies
IPW65R045C7FKSA1
Infineon Technologies
IPW65R080CFDFKSA1
Infineon Technologies
IPW65R110CFDFKSA1
Infineon Technologies
IPW65R190C6FKSA1
Infineon Technologies
IPW65R190CFDFKSA1
Infineon Technologies
IPW65R190E6FKSA1
Infineon Technologies
IPW65R280C6FKSA1
Infineon Technologies
IPW65R280E6FKSA1
Infineon Technologies
AT40K05AL-1BQC
Microchip Technology
XC3S200AN-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FG144
Microsemi Corporation
EPF6010ATI100-2N
Intel
5SGXEABK3H40I4N
Intel
XC4005-5PC84C
Xilinx Inc.
XA7S25-1CSGA225Q
Xilinx Inc.
A42MX24-1PQG160M
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C6
Intel