casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPI070N06N G
Número da peça de fabricante | IPI070N06N G |
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Número da peça futura | FT-IPI070N06N G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
IPI070N06N G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 60V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7 mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 180µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 118nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4100pF @ 30V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 250W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO262-3 |
Pacote / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPI070N06N G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPI070N06N G-FT |
IPW60R299CPFKSA1
Infineon Technologies
IPW65R045C7300XKSA1
Infineon Technologies
IPW65R045C7FKSA1
Infineon Technologies
IPW65R080CFDFKSA1
Infineon Technologies
IPW65R110CFDFKSA1
Infineon Technologies
IPW65R190C6FKSA1
Infineon Technologies
IPW65R190CFDFKSA1
Infineon Technologies
IPW65R190E6FKSA1
Infineon Technologies
IPW65R280C6FKSA1
Infineon Technologies
IPW65R280E6FKSA1
Infineon Technologies
A1020B-VQG80I
Microsemi Corporation
XC6VLX75T-L1FFG484I
Xilinx Inc.
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE75F23C8L
Intel
XC5VLX50-3FF676C
Xilinx Inc.
AGL060V2-CS121
Microsemi Corporation
EP20K400ERC240-1
Intel
EPF10K10QI208-4
Intel
EPF10K30AQC208-3N
Intel