casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPI80N06S2L05AKSA1
Número da peça de fabricante | IPI80N06S2L05AKSA1 |
---|---|
Número da peça futura | FT-IPI80N06S2L05AKSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
IPI80N06S2L05AKSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 55V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8 mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 230nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 5700pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 300W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO262-3 |
Pacote / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPI80N06S2L05AKSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPI80N06S2L05AKSA1-FT |
IPI06CN10N G
Infineon Technologies
IPI06N03LA
Infineon Technologies
IPI070N06N G
Infineon Technologies
IPI070N08N3 G
Infineon Technologies
IPI072N10N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPI075N15N3GHKSA1
Infineon Technologies
IPI076N12N3GAKSA1
Infineon Technologies
IPI08CN10N G
Infineon Technologies
IPI08CNE8N G
Infineon Technologies
IPI09N03LA
Infineon Technologies
A3P060-1TQ144I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FCSG325I
Microsemi Corporation
M1A3P400-FG484
Microsemi Corporation
LFE5UM-45F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K130EFI484-2
Intel
5SGXEA4K1F35C2N
Intel
ICE40UL1K-CM36AI
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP6C-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB3H4F35C5N
Intel
10AX016E3F27I1HG
Intel