casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPI60R165CPAKSA1
Número da peça de fabricante | IPI60R165CPAKSA1 |
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Número da peça futura | FT-IPI60R165CPAKSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CoolMOS™ |
IPI60R165CPAKSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 650V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 21A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 165 mOhm @ 12A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 790µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 52nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2000pF @ 100V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 192W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO262-3 |
Pacote / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPI60R165CPAKSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPI60R165CPAKSA1-FT |
BSF045N03MQ3 G
Infineon Technologies
BSF050N03LQ3GXUMA1
Infineon Technologies
BSF053N03LT G
Infineon Technologies
BSF077N06NT3GXUMA1
Infineon Technologies
BSF083N03LQ G
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BSF134N10NJ3GXUMA1
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IPI024N06N3GXKSA1
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IPI040N06N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPI086N10N3GXKSA1
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IPI90N04S402AKSA1
Infineon Technologies
XC4005E-1PQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-L1CSG484I
Xilinx Inc.
A3PN060-1VQ100I
Microsemi Corporation
10AX048K2F35E2LG
Intel
EP4S100G5F45I3
Intel
A40MX02-PLG44
Microsemi Corporation
XC7A25T-2CPG238C
Xilinx Inc.
LFEC15E-4F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA3D6F31C6N
Intel
EP1S40F1508C6N
Intel