casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPI086N10N3GXKSA1
Número da peça de fabricante | IPI086N10N3GXKSA1 |
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Número da peça futura | FT-IPI086N10N3GXKSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
IPI086N10N3GXKSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 100V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.6 mOhm @ 73A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 75µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 55nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3980pF @ 50V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 125W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO262-3 |
Pacote / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPI086N10N3GXKSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPI086N10N3GXKSA1-FT |
IPW60R190C6FKSA1
Infineon Technologies
SPW11N80C3FKSA1
Infineon Technologies
SPW24N60C3FKSA1
Infineon Technologies
IPW60R160C6FKSA1
Infineon Technologies
IPW60R280C6FKSA1
Infineon Technologies
IPW50R140CPFKSA1
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IPW65R099C6FKSA1
Infineon Technologies
SPW16N50C3FKSA1
Infineon Technologies
IPW65R095C7XKSA1
Infineon Technologies
IPW65R041CFDFKSA1
Infineon Technologies
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8LFTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M25DAF256C7G
Intel
EP3SE260F1152I3
Intel
LCMXO640C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel