casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BSF083N03LQ G
Número da peça de fabricante | BSF083N03LQ G |
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Número da peça futura | FT-BSF083N03LQ G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
BSF083N03LQ G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 13A (Ta), 53A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.3 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1800pF @ 15V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 2.2W (Ta), 36W (Tc) |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
Pacote / caso | 3-WDSON |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSF083N03LQ G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BSF083N03LQ G-FT |
IPW60R099P7XKSA1
Infineon Technologies
IPW65R070C6FKSA1
Infineon Technologies
IPW60R099CPFKSA1
Infineon Technologies
IPW80R360P7XKSA1
Infineon Technologies
IPW60R190C6FKSA1
Infineon Technologies
SPW11N80C3FKSA1
Infineon Technologies
SPW24N60C3FKSA1
Infineon Technologies
IPW60R160C6FKSA1
Infineon Technologies
IPW60R280C6FKSA1
Infineon Technologies
IPW50R140CPFKSA1
Infineon Technologies
XC6SLX150-3FG676I
Xilinx Inc.
XC3S1400A-5FG484C
Xilinx Inc.
AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LAXP2-8E-5FTN256E
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-5SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-3PL68I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I2
Intel
5SGXEBBR2H43I3L
Intel
LFEC10E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10QC208-3N
Intel