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Infineon Technologies BSF083N03LQ G

Name: BSF083N03LQ G
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSF083N03LQ G
Availability: InStock
Rating: 4.9 (509 reviews)

Número da peça MFG: BSF083N03LQ G

Quantidade disponível: 14530 Peças

Preço de referência: USD 0

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Infineon Technologies

Descrição breve: OptiMOS™ MOSFET N-CH 30V 53A MG-WDSON-2

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: BSF083N03LQ G.pdf

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BSF083N03LQ G Especificações

Número da peça de fabricante	BSF083N03LQ G
Número da peça futura	FT-BSF083N03LQ G
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	OptiMOS™
BSF083N03LQ G Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	13A (Ta), 53A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	18nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1800pF @ 15V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	2.2W (Ta), 36W (Tc)
Temperatura de operação	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	MG-WDSON-2, CanPAK M™
Pacote / caso	3-WDSON
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSF083N03LQ G Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	BSF083N03LQ G-FT

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