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Infineon Technologies IPC100N04S5L2R6ATMA1

Name: IPC100N04S5L2R6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPC100N04S5L2R6ATMA1
Price: 0.360016 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (704 reviews)

Número da peça MFG: IPC100N04S5L2R6ATMA1

Quantidade disponível: 43230 Peças

Preço de referência: USD 0.360016

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Infineon Technologies

Descrição breve: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: IPC100N04S5L2R6ATMA1.pdf

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IPC100N04S5L2R6ATMA1 Especificações

Número da peça de fabricante	IPC100N04S5L2R6ATMA1
Número da peça futura	FT-IPC100N04S5L2R6ATMA1
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
IPC100N04S5L2R6ATMA1 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	100A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.6 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 30µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	55nC @ 10V
Vgs (máx.)	±16V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2925pF @ 25V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	75W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	PG-TDSON-8-34
Pacote / caso	8-PowerTDFN
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPC100N04S5L2R6ATMA1 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	IPC100N04S5L2R6ATMA1-FT

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