casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BSC059N03S G
Número da peça de fabricante | BSC059N03S G |
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Número da peça futura | FT-BSC059N03S G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
BSC059N03S G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 17.5A (Ta), 73A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 35µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 5V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2670pF @ 15V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 17.5W (Ta), 48W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TDSON-8 |
Pacote / caso | 8-PowerTDFN |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSC059N03S G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BSC059N03S G-FT |
BSC060N10NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSC0901NSATMA1
Infineon Technologies
BSC0906NSATMA1
Infineon Technologies
BSC090N03LSGATMA1
Infineon Technologies
BSC097N06NSATMA1
Infineon Technologies
BSC120N03LSGATMA1
Infineon Technologies
BSC130P03LSGAUMA1
Infineon Technologies
BSC160N15NS5ATMA1
Infineon Technologies
BSC882N03LSGATMA1
Infineon Technologies
BSC900N20NS3GATMA1
Infineon Technologies
LCMXO2-7000HE-6TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX25-N3FGG484I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FG484
Microsemi Corporation
M7A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
XC4VFX40-10FF1152I
Xilinx Inc.
A40MX04-1PLG84M
Microsemi Corporation
A42MX16-2PL84I
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6U19I7N
Intel