casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPB120N06S403ATMA2
Número da peça de fabricante | IPB120N06S403ATMA2 |
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Número da peça futura | FT-IPB120N06S403ATMA2 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
IPB120N06S403ATMA2 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 60V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.2 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 120µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 160nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 13150pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 167W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO263-3-2 |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB120N06S403ATMA2 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPB120N06S403ATMA2-FT |
BUZ32 E3045A
Infineon Technologies
BUZ32H3045AATMA1
Infineon Technologies
IPB015N04LGATMA1
Infineon Technologies
IPB020N10N5LFATMA1
Infineon Technologies
IPB020NE7N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB021N06N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB022N04LGATMA1
Infineon Technologies
IPB023N04NGATMA1
Infineon Technologies
IPB024N08N5ATMA1
Infineon Technologies
IPB026N06NATMA1
Infineon Technologies
XC3S400-5FTG256C
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CSG325C
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300E-5UWG81CTR50
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K1F35I2N
Intel
XC4020E-3HQ208I
Xilinx Inc.
XC7VX415T-2FFG1158I
Xilinx Inc.
XC7VX550T-1FFG1158C
Xilinx Inc.
XCKU5P-1SFVB784I
Xilinx Inc.
LFXP10C-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation