casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPB120N06S403ATMA1
Número da peça de fabricante | IPB120N06S403ATMA1 |
---|---|
Número da peça futura | FT-IPB120N06S403ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
IPB120N06S403ATMA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 60V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 120µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 160nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 13150pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 167W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO263-3-2 |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB120N06S403ATMA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPB120N06S403ATMA1-FT |
BUZ31 E3045A
Infineon Technologies
BUZ32 E3045A
Infineon Technologies
BUZ32H3045AATMA1
Infineon Technologies
IPB015N04LGATMA1
Infineon Technologies
IPB020N10N5LFATMA1
Infineon Technologies
IPB020NE7N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB021N06N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB022N04LGATMA1
Infineon Technologies
IPB023N04NGATMA1
Infineon Technologies
IPB024N08N5ATMA1
Infineon Technologies
M2GL025-1FG484I
Microsemi Corporation
APA600-BG456M
Microsemi Corporation
APA450-FG256
Microsemi Corporation
A3P400-1FG256
Microsemi Corporation
XC2V4000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200UHC-4FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C4L
Intel
10CL080YF780C6G
Intel