casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPB60R180P7ATMA1
Número da peça de fabricante | IPB60R180P7ATMA1 |
---|---|
Número da peça futura | FT-IPB60R180P7ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CoolMOS™ P7 |
IPB60R180P7ATMA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 600V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 18A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 5.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 280µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1081pF @ 400V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 72W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D²PAK (TO-263AB) |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB60R180P7ATMA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPB60R180P7ATMA1-FT |
IPB080N06N G
Infineon Technologies
IPB083N10N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB083N15N5LFATMA1
Infineon Technologies
IPB085N06L G
Infineon Technologies
IPB08CN10N G
Infineon Technologies
IPB08CNE8N G
Infineon Technologies
IPB090N06N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB093N04LGATMA1
Infineon Technologies
IPB096N03LGATMA1
Infineon Technologies
IPB097N08N3 G
Infineon Technologies