casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPB60R160P6ATMA1
Número da peça de fabricante | IPB60R160P6ATMA1 |
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Número da peça futura | FT-IPB60R160P6ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CoolMOS™ P6 |
IPB60R160P6ATMA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 600V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 23.8A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160 mOhm @ 9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 750µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 44nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2080pF @ 100V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 176W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D²PAK (TO-263AB) |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB60R160P6ATMA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPB60R160P6ATMA1-FT |
IPB075N04LGATMA1
Infineon Technologies
IPB080N06N G
Infineon Technologies
IPB083N10N3GATMA1
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IPB083N15N5LFATMA1
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IPB085N06L G
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IPB08CN10N G
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IPB08CNE8N G
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IPB090N06N3GATMA1
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IPB093N04LGATMA1
Infineon Technologies
IPB096N03LGATMA1
Infineon Technologies
LCMXO1200E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-2PQ100C
Microsemi Corporation
XC6SLX9-2FT256I
Xilinx Inc.
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP2A15F672C7AA
Intel
EP3CLS70U484I7
Intel
5SGSED6K2F40C3N
Intel
EP4CE10E22C9L
Intel
LFE3-70E-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EBC652-1X
Intel