casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPB17N25S3100ATMA1
Número da peça de fabricante | IPB17N25S3100ATMA1 |
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Número da peça futura | FT-IPB17N25S3100ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
IPB17N25S3100ATMA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 250V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 17A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 17A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 54µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1500pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 107W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO263-3-2 |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB17N25S3100ATMA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPB17N25S3100ATMA1-FT |
IPB03N03LA
Infineon Technologies
IPB03N03LA G
Infineon Technologies
IPB03N03LB
Infineon Technologies
IPB03N03LB G
Infineon Technologies
IPB041N04NGATMA1
Infineon Technologies
IPB042N10N3GE8187ATMA1
Infineon Technologies
IPB048N06LGATMA1
Infineon Technologies
IPB048N15N5ATMA1
Infineon Technologies
IPB048N15N5LFATMA1
Infineon Technologies
IPB049N06L3GATMA1
Infineon Technologies
XC3S200A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC3S2000-4FG456C
Xilinx Inc.
A42MX09-VQ100I
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP2C50F672I8
Intel
XC6SLX4-2CSG225I
Xilinx Inc.
AGL600V2-CSG281
Microsemi Corporation
LFXP6C-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4
Intel