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Infineon Technologies IPB042N10N3GE8187ATMA1

Número da peça MFG
IPB042N10N3GE8187ATMA1
Quantidade disponível
44950 Peças
Preço de referência
USD 1.210032
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Data de envio
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fabricante
Infineon Technologies
Descrição breve
OptiMOS™ MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
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IPB042N10N3GE8187ATMA1 Especificações

Número da peça de fabricante IPB042N10N3GE8187ATMA1
Número da peça futura FT-IPB042N10N3GE8187ATMA1
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series OptiMOS™
IPB042N10N3GE8187ATMA1 Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 100A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 150µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 117nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 8410pF @ 50V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 214W (Tc)
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor D²PAK (TO-263AB)
Pacote / caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPB042N10N3GE8187ATMA1 Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição IPB042N10N3GE8187ATMA1-FT

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