casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPB03N03LB G
Número da peça de fabricante | IPB03N03LB G |
---|---|
Número da peça futura | FT-IPB03N03LB G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
IPB03N03LB G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8 mOhm @ 55A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 100µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 59nC @ 5V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 7624pF @ 15V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 150W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D²PAK (TO-263AB) |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB03N03LB G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPB03N03LB G-FT |
AUIRF2805S
Infineon Technologies
AUIRF2903ZS
Infineon Technologies
AUIRF2903ZSTRL
Infineon Technologies
AUIRF3205ZS
Infineon Technologies
AUIRF3205ZSTRL
Infineon Technologies
AUIRF3315S
Infineon Technologies
AUIRF3315STRL
Infineon Technologies
AUIRF3710ZSTRL
Infineon Technologies
AUIRF3805S
Infineon Technologies
AUIRF3808S
Infineon Technologies
EX128-TQ100
Microsemi Corporation
XC3S50A-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ256
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-VQG100M
Microsemi Corporation
EP1SGX10CF672C7N
Intel
10AX016C3U19I2LG
Intel
10CL025ZE144I8G
Intel
5SGXEA7H3F35I4
Intel
EP3SE50F780I3
Intel