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Infineon Technologies IPAN70R600P7SXKSA1

Name: IPAN70R600P7SXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPAN70R600P7SXKSA1
Price: 0.470672 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (525 reviews)

Número da peça MFG: IPAN70R600P7SXKSA1

Quantidade disponível: 51530 Peças

Preço de referência: USD 0.470672

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fabricante: Infineon Technologies

Descrição breve: CoolMOS™ P7 MOSFET N-CH 700V 8.5A TO220

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: IPAN70R600P7SXKSA1.pdf

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IPAN70R600P7SXKSA1 Especificações

Número da peça de fabricante	IPAN70R600P7SXKSA1
Número da peça futura	FT-IPAN70R600P7SXKSA1
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	CoolMOS™ P7
IPAN70R600P7SXKSA1 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	700V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	8.5A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	600 mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 90µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	10.5nC @ 10V
Vgs (máx.)	±16V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	364pF @ 400V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	24.9W (Tc)
Temperatura de operação	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	PG-TO220 Full Pack
Pacote / caso	TO-220-3 Full Pack
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPAN70R600P7SXKSA1 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	IPAN70R600P7SXKSA1-FT

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