casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPAW60R600CEXKSA1
Número da peça de fabricante | IPAW60R600CEXKSA1 |
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Número da peça futura | FT-IPAW60R600CEXKSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CoolMOS™ |
IPAW60R600CEXKSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 600V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 10.3A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 2.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 200µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 20.5nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 444pF @ 100V |
Recurso FET | Super Junction |
Dissipação de energia (máx.) | 28W (Tc) |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO220 Full Pack |
Pacote / caso | TO-220-3 Full Pack |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPAW60R600CEXKSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPAW60R600CEXKSA1-FT |
BSP298 E6327
Infineon Technologies
BSP298L6327HUSA1
Infineon Technologies
BSP299 E6327
Infineon Technologies
BSP299L6327HUSA1
Infineon Technologies
BSP300 E6327
Infineon Technologies
BSP300L6327HUSA1
Infineon Technologies
BSP315P-E6327
Infineon Technologies
BSP315PE6327T
Infineon Technologies
BSP315PH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSP315PL6327HTSA1
Infineon Technologies
LCMXO2-640HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S400A-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX72A-1FG484M
Microsemi Corporation
A3P250-1FG256
Microsemi Corporation
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE530H35C4N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C7
Intel