casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / IMC1210EBR82M

| Número da peça de fabricante | IMC1210EBR82M |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-IMC1210EBR82M |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | IMC-1210 |
| IMC1210EBR82M Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Active |
| Tipo | Wirewound |
| Material - Núcleo | Iron Powder |
| Indutância | 820nH |
| Tolerância | ±20% |
| Classificação atual | 450mA |
| Atual - saturação | - |
| Blindagem | Unshielded |
| Resistência DC (DCR) | 670 mOhm Max |
| Q @ Freq | 30 @ 25.2MHz |
| Freqüência - auto-ressonante | 140MHz |
| Classificações | - |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
| Frequência de Indutância - Teste | 25.2MHz |
| Características | - |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / caso | 1210 (3225 Metric) |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 1210 |
| Tamanho / dimensão | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
| Altura - Sentado (Max) | 0.095" (2.41mm) |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| IMC1210EBR82M Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | IMC1210EBR82M-FT |

IMC1210EB1R0K
Vishay Dale

IMC1210EB1R0M
Vishay Dale

IMC1210EB1R2J
Vishay Dale

IMC1210EB1R2K
Vishay Dale

IMC1210EB1R5J
Vishay Dale

IMC1210EB1R5K
Vishay Dale

IMC1210EB1R8J
Vishay Dale

IMC1210EB1R8K
Vishay Dale

IMC1210EB220J
Vishay Dale

IMC1210EB220K
Vishay Dale

XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.

A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation

M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation

10AX032E3F29I2SG
Intel

EP4CGX22BF14C8N
Intel

EP4SE530H40I3N
Intel

5SGXEA4H2F35I2N
Intel

A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation

LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation

EP2SGX130GF40C4NES
Intel