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Número da peça de fabricante | IMC1210EB1R8J |
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Número da peça futura | FT-IMC1210EB1R8J |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | IMC-1210 |
IMC1210EB1R8J Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Iron Powder |
Indutância | 1.8µH |
Tolerância | ±5% |
Classificação atual | 350mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 900 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 7.96MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 80MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 7.96MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 1210 |
Tamanho / dimensão | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.095" (2.41mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMC1210EB1R8J Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IMC1210EB1R8J-FT |
IMC1210BN390K
Vishay Dale
IMC1210BN39NJ
Vishay Dale
IMC1210BN39NK
Vishay Dale
IMC1210BN39NM
Vishay Dale
IMC1210BN3R3J
Vishay Dale
IMC1210BN3R3K
Vishay Dale
IMC1210BN3R9J
Vishay Dale
IMC1210BN3R9K
Vishay Dale
IMC1210BN470J
Vishay Dale
IMC1210BN47NJ
Vishay Dale
XC2V250-5FG256I
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-6900C-5BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-ZVQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C2N
Intel
5SGXMB6R2F43I3LN
Intel
EP4SE530H40C3N
Intel
LCMXO256C-3MN100I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB7H4F35C5N
Intel
EP4CE55F29I7
Intel
EPF10K100EQC208-2X
Intel