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Número da peça de fabricante | IMC1210EB1R8J |
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Número da peça futura | FT-IMC1210EB1R8J |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | IMC-1210 |
IMC1210EB1R8J Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Iron Powder |
Indutância | 1.8µH |
Tolerância | ±5% |
Classificação atual | 350mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 900 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 7.96MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 80MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 7.96MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 1210 |
Tamanho / dimensão | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.095" (2.41mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMC1210EB1R8J Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IMC1210EB1R8J-FT |
IMC1210BN390K
Vishay Dale
IMC1210BN39NJ
Vishay Dale
IMC1210BN39NK
Vishay Dale
IMC1210BN39NM
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IMC1210BN3R3K
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IMC1210BN3R9J
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IMC1210BN3R9K
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IMC1210BN470J
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IMC1210BN47NJ
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XC2S150-6FG456C
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XC2VP7-6FG456C
Xilinx Inc.
EP2S60F484C3
Intel
5SGXEBBR2H43C2N
Intel
A42MX09-2PL84I
Microsemi Corporation
LFE3-95E-8FN1156C
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LCMXO2280E-4BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HC-6MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S130F1508C3N
Intel