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Número da peça de fabricante | IMC1210EB1R0M |
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Número da peça futura | FT-IMC1210EB1R0M |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | IMC-1210 |
IMC1210EB1R0M Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Iron Powder |
Indutância | 1µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 400mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 700 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 7.96MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 120MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 7.96MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 1210 |
Tamanho / dimensão | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.095" (2.41mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMC1210EB1R0M Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IMC1210EB1R0M-FT |
IMC1210BN330K
Vishay Dale
IMC1210BN33NJ
Vishay Dale
IMC1210BN33NK
Vishay Dale
IMC1210BN33NM
Vishay Dale
IMC1210BN390J
Vishay Dale
IMC1210BN390K
Vishay Dale
IMC1210BN39NJ
Vishay Dale
IMC1210BN39NK
Vishay Dale
IMC1210BN39NM
Vishay Dale
IMC1210BN3R3J
Vishay Dale
A54SX16A-2TQG144
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA600-FGG484A
Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C3T100I7
Intel
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8
Intel
5SGXEA7H3F35C2N
Intel
5AGXMA5G4F31C4N
Intel