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Número da peça de fabricante | IMC1210EBR82K |
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Número da peça futura | FT-IMC1210EBR82K |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | IMC-1210 |
IMC1210EBR82K Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Iron Powder |
Indutância | 820nH |
Tolerância | ±10% |
Classificação atual | 450mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 670 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 25.2MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 140MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 25.2MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 1210 |
Tamanho / dimensão | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.095" (2.41mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMC1210EBR82K Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IMC1210EBR82K-FT |
IMC1210EB1R0J
Vishay Dale
IMC1210EB1R0K
Vishay Dale
IMC1210EB1R0M
Vishay Dale
IMC1210EB1R2J
Vishay Dale
IMC1210EB1R2K
Vishay Dale
IMC1210EB1R5J
Vishay Dale
IMC1210EB1R5K
Vishay Dale
IMC1210EB1R8J
Vishay Dale
IMC1210EB1R8K
Vishay Dale
IMC1210EB220J
Vishay Dale
XCS05-3VQ100C
Xilinx Inc.
XC7S75-2FGGA676C
Xilinx Inc.
AGLN250V2-ZCSG81I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQ208
Microsemi Corporation
EP20K400EFC672-1
Intel
XC7K410T-L2FFG676I
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQ100
Microsemi Corporation
AT40K05AL-1AJC
Microchip Technology
EP1S40F780C8N
Intel
EPF10K100ABI356-3N
Intel