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Número da peça de fabricante | IMC1210EBR68M |
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Número da peça futura | FT-IMC1210EBR68M |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | IMC-1210 |
IMC1210EBR68M Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Iron Powder |
Indutância | 680nH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 450mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 600 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 25.2MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 160MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 25.2MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 1210 |
Tamanho / dimensão | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.095" (2.41mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMC1210EBR68M Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IMC1210EBR68M-FT |
IMC1210EB18NK
Vishay Dale
IMC1210EB18NM
Vishay Dale
IMC1210EB1R0J
Vishay Dale
IMC1210EB1R0K
Vishay Dale
IMC1210EB1R0M
Vishay Dale
IMC1210EB1R2J
Vishay Dale
IMC1210EB1R2K
Vishay Dale
IMC1210EB1R5J
Vishay Dale
IMC1210EB1R5K
Vishay Dale
IMC1210EB1R8J
Vishay Dale
LFE2-6SE-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A50T-2CSG325I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
M1A3P400-2PQ208
Microsemi Corporation
EP3C5F256C6
Intel
M1AGL1000V5-CSG281
Microsemi Corporation
A42MX09-1PQG160
Microsemi Corporation
LFE2M50E-5F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10M04DAU324I7G
Intel