casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / IMC1210EBR18J
Número da peça de fabricante | IMC1210EBR18J |
---|---|
Número da peça futura | FT-IMC1210EBR18J |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | IMC-1210 |
IMC1210EBR18J Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Iron Powder |
Indutância | 180nH |
Tolerância | ±5% |
Classificação atual | 518mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 280 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 25.2MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 400MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 25.2MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 1210 |
Tamanho / dimensão | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.095" (2.41mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMC1210EBR18J Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IMC1210EBR18J-FT |
IMC1210BNR82K
Vishay Dale
IMC1210BNR82M
Vishay Dale
IMC1210EB100J
Vishay Dale
IMC1210EB100K
Vishay Dale
IMC1210EB101J
Vishay Dale
IMC1210EB101K
Vishay Dale
IMC1210EB10NK
Vishay Dale
IMC1210EB10NM
Vishay Dale
IMC1210EB120J
Vishay Dale
IMC1210EB120K
Vishay Dale
A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300E-5UWG81CTR50
Lattice Semiconductor Corporation
A1010B-1PL68C
Microsemi Corporation
A42MX09-3VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSMD5K3F40I4
Intel
XC7A200T-3FBG484E
Xilinx Inc.
XC4VFX60-11FF1152C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70E-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE55F29C7
Intel