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Número da peça de fabricante | IMC1210EB100J |
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Número da peça futura | FT-IMC1210EB100J |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | IMC-1210 |
IMC1210EB100J Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Iron Powder |
Indutância | 10µH |
Tolerância | ±5% |
Classificação atual | 189mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 2.1 Ohm Max |
Q @ Freq | 30 @ 2.52MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 33MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 2.52MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 1210 |
Tamanho / dimensão | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.095" (2.41mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMC1210EB100J Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IMC1210EB100J-FT |
IMC1210BN18NK
Vishay Dale
IMC1210BN18NM
Vishay Dale
IMC1210BN1R0J
Vishay Dale
IMC1210BN1R0K
Vishay Dale
IMC1210BN1R2J
Vishay Dale
IMC1210BN1R2K
Vishay Dale
IMC1210BN1R5J
Vishay Dale
IMC1210BN1R5K
Vishay Dale
IMC1210BN1R8J
Vishay Dale
IMC1210BN1R8K
Vishay Dale
XC3S1200E-5FT256C
Xilinx Inc.
XC7A200T-1FBG676C
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ208
Microsemi Corporation
EP4CE6E22A7N
Intel
5SGXMA9N2F45I2LN
Intel
5SGXMA4K3F35I3LN
Intel
XA7A75T-1CSG324I
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N4F45E3LG
Intel
EPF10K30RI240-4N
Intel