casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / IMC1210EB10NM
Número da peça de fabricante | IMC1210EB10NM |
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Número da peça futura | FT-IMC1210EB10NM |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | IMC-1210 |
IMC1210EB10NM Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Non-Magnetic |
Indutância | 10nH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 734mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 130 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 50MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 1GHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 50MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 1210 |
Tamanho / dimensão | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.095" (2.41mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMC1210EB10NM Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IMC1210EB10NM-FT |
IMC1210BN1R2K
Vishay Dale
IMC1210BN1R5J
Vishay Dale
IMC1210BN1R5K
Vishay Dale
IMC1210BN1R8J
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IMC1210BN1R8K
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IMC1210BN220J
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IMC1210BN220K
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IMC1210BN221J
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IMC1210BN221K
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IMC1210BN22NK
Vishay Dale
LCMXO2-2000HE-6TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
AFS250-FG256
Microsemi Corporation
A3PN060-VQG100
Microsemi Corporation
A42MX09-3VQG100
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C9LN
Intel
10M25DAF256I7P
Intel
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