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Global Power Technologies Group GP1M010A080N

Name: GP1M010A080N
Brand: Global Power Technologies Group
SKU: GP1M010A080N
Availability: InStock
Rating: 4.7 (666 reviews)

Número da peça MFG: GP1M010A080N

Quantidade disponível: 75950 Peças

Preço de referência: USD 0

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Global Power Technologies Group

Descrição breve: - MOSFET N-CH 900V 10A TO3PN

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: GP1M010A080N.pdf

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GP1M010A080N Especificações

Número da peça de fabricante	GP1M010A080N
Número da peça futura	FT-GP1M010A080N
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	-
GP1M010A080N Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	900V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	10A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.05 Ohm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	53nC @ 10V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2336pF @ 25V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	312W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	TO-3PN
Pacote / caso	TO-3P-3, SC-65-3
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
GP1M010A080N Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	GP1M010A080N-FT

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