casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRFU120Z
Número da peça de fabricante | IRFU120Z |
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Número da peça futura | FT-IRFU120Z |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HEXFET® |
IRFU120Z Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 100V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 8.7A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 5.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 310pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 35W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | IPAK (TO-251) |
Pacote / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFU120Z Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IRFU120Z-FT |
BSZ040N06LS5ATMA1
Infineon Technologies
BSZ042N06NSATMA1
Infineon Technologies
BSZ0500NSIATMA1
Infineon Technologies
BSZ0501NSIATMA1
Infineon Technologies
BSZ0502NSIATMA1
Infineon Technologies
BSZ0503NSIATMA1
Infineon Technologies
BSZ0506NSATMA1
Infineon Technologies
BSZ065N03LSATMA1
Infineon Technologies
BSZ065N06LS5ATMA1
Infineon Technologies
BSZ070N08LS5ATMA1
Infineon Technologies
XC6SLX100T-N3FG900C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
EP2A40F672C7
Intel
EP3SL200F1517C4
Intel
XC7A200T-2FB484I
Xilinx Inc.
XC6VCX195T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10LC84-4
Intel
EPF81188ARC240-2
Intel
EP1C12Q240C7
Intel