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Infineon Technologies IRFU1018EPBF

Número da peça MFG
IRFU1018EPBF
Quantidade disponível
56200 Peças
Preço de referência
USD 0
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Data de envio
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fabricante
Infineon Technologies
Descrição breve
HEXFET® MOSFET N-CH 60V 56A I-PAK
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
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IRFU1018EPBF Especificações

Número da peça de fabricante IRFU1018EPBF
Número da peça futura FT-IRFU1018EPBF
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series HEXFET®
IRFU1018EPBF Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 56A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.4 mOhm @ 47A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 100µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 69nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2290pF @ 50V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 110W (Tc)
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor IPAK (TO-251)
Pacote / caso TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFU1018EPBF Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição IRFU1018EPBF-FT

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