casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRFU1018EPBF
Número da peça de fabricante | IRFU1018EPBF |
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Número da peça futura | FT-IRFU1018EPBF |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HEXFET® |
IRFU1018EPBF Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 60V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 56A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.4 mOhm @ 47A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 69nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2290pF @ 50V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 110W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | IPAK (TO-251) |
Pacote / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFU1018EPBF Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IRFU1018EPBF-FT |
BSZ033NE2LS5ATMA1
Infineon Technologies
BSZ034N04LSATMA1
Infineon Technologies
BSZ040N06LS5ATMA1
Infineon Technologies
BSZ042N06NSATMA1
Infineon Technologies
BSZ0500NSIATMA1
Infineon Technologies
BSZ0501NSIATMA1
Infineon Technologies
BSZ0502NSIATMA1
Infineon Technologies
BSZ0503NSIATMA1
Infineon Technologies
BSZ0506NSATMA1
Infineon Technologies
BSZ065N03LSATMA1
Infineon Technologies
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
5SGSMD5K2F40C2L
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-4BG332C
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LFE3-95EA-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4U19A7N
Intel
EPF10K20RC240-3N
Intel
EP20K1000EFC33-3
Intel