casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - retificadores de ponte / GBL410_HF
Número da peça de fabricante | GBL410_HF |
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Número da peça futura | FT-GBL410_HF |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
GBL410_HF Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 1kV |
Atual - Média Retificada (Io) | 4A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1V @ 2A |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5µA @ 1000V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 4-SIP, GBL |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | GBL |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBL410_HF Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | GBL410_HF-FT |
GBU601-G
Comchip Technology
GBU602-G
Comchip Technology
GBU604-G
Comchip Technology
GBU606-G
Comchip Technology
GBU608-G
Comchip Technology
GBU610-G
Comchip Technology
GBU8005-G
Comchip Technology
GBU802-G
Comchip Technology
GBU804-G
Comchip Technology
GBU806-G
Comchip Technology
XC6SLX9-N3FT256I
Xilinx Inc.
XCV400-6FG676C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-1FG484
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25U256I7N
Intel
5SGXMBBR2H43C2N
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LFE3-70E-8FN1156I
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LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-9FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF35C4N
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