casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - retificadores de ponte / GBU806-G
Número da peça de fabricante | GBU806-G |
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Número da peça futura | FT-GBU806-G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
GBU806-G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 600V |
Atual - Média Retificada (Io) | 8A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1V @ 4A |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 600V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 4-SIP, GBU |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | GBU |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU806-G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | GBU806-G-FT |
KBPC3510-G
Comchip Technology
KBPC5006-G
Comchip Technology
KBPC3502-G
Comchip Technology
KBPC3506-G
Comchip Technology
KBPC3504-G
Comchip Technology
KBPC10005-G
Comchip Technology
KBPC1001-G
Comchip Technology
KBPC1002-G
Comchip Technology
KBPC1006-G
Comchip Technology
KBPC1008-G
Comchip Technology
XC3S500E-5FTG256C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-FG256I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SE260F1517I3
Intel
XC2VP50-5FFG1152I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4B256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U4F45E3LG
Intel
EP4SGX180DF29C2X
Intel