casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - retificadores de ponte / GBU601-G
Número da peça de fabricante | GBU601-G |
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Número da peça futura | FT-GBU601-G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
GBU601-G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 100V |
Atual - Média Retificada (Io) | 6A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1V @ 3A |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 100V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 4-SIP, GBU |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | GBU |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU601-G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | GBU601-G-FT |
CDBHM160L-HF
Comchip Technology
CDBHM1100L-HF
Comchip Technology
BR5010L-G
Comchip Technology
BR5010-G
Comchip Technology
BR1010SG-G
Comchip Technology
BR1006SG-G
Comchip Technology
BR10005SG-G
Comchip Technology
BR1002SG-G
Comchip Technology
BR1008SG-G
Comchip Technology
KBPC3510-G
Comchip Technology
XC3S1200E-5FTG256C
Xilinx Inc.
M2GL005-FG484
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-4300C-6BG400I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2A15F672I8
Intel
EP4S100G2F40I2
Intel
EP4SGX530NF45I4N
Intel
5SGXMB5R3F43C3N
Intel
XC2VP30-5FF1152C
Xilinx Inc.
A42MX09-TQG176
Microsemi Corporation
EP1AGX60DF780I6N
Intel