casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / GB2X100MPS12-227
Número da peça de fabricante | GB2X100MPS12-227 |
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Número da peça futura | FT-GB2X100MPS12-227 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
GB2X100MPS12-227 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 2 Independent |
Tipo de Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 185A (DC) |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 100A |
Rapidez | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 0ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 80µA @ 1200V |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 175°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-227 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GB2X100MPS12-227 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | GB2X100MPS12-227-FT |
MBR40060CT
GeneSiC Semiconductor
MBR40060CTR
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MBR40080CT
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MBR500100CT
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MBR500150CT
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MBR500200CT
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