casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / MBR500200CT
Número da peça de fabricante | MBR500200CT |
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Número da peça futura | FT-MBR500200CT |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MBR500200CT Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 250A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 920mV @ 250A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 3mA @ 200V |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Twin Tower |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Twin Tower |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR500200CT Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MBR500200CT-FT |
MBR2X080A100
GeneSiC Semiconductor
MBR2X050A200
GeneSiC Semiconductor
MBR2X100A180
GeneSiC Semiconductor
MBR2X030A060
GeneSiC Semiconductor
MBR2X030A080
GeneSiC Semiconductor
MBR2X050A045
GeneSiC Semiconductor
MBR2X050A060
GeneSiC Semiconductor
MBR2X050A080
GeneSiC Semiconductor
MBR2X050A100
GeneSiC Semiconductor
MBR2X050A120
GeneSiC Semiconductor
XC3S1000-4FTG256I
Xilinx Inc.
APA750-PQG208I
Microsemi Corporation
5SGXEA7K2F35I2LN
Intel
XC7K410T-L2FFG676I
Xilinx Inc.
A42MX16-PQ160A
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7D6F31I7
Intel
EP2AGX125EF35C5
Intel
EP4SGX360FF35I3
Intel
5SGSMD3H1F35C1N
Intel