casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / MBR500200CTR
Número da peça de fabricante | MBR500200CTR |
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Número da peça futura | FT-MBR500200CTR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MBR500200CTR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Anode |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 250A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 920mV @ 250A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 3mA @ 200V |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Twin Tower |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Twin Tower |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR500200CTR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MBR500200CTR-FT |
MBR2X050A200
GeneSiC Semiconductor
MBR2X100A180
GeneSiC Semiconductor
MBR2X030A060
GeneSiC Semiconductor
MBR2X030A080
GeneSiC Semiconductor
MBR2X050A045
GeneSiC Semiconductor
MBR2X050A060
GeneSiC Semiconductor
MBR2X050A080
GeneSiC Semiconductor
MBR2X050A100
GeneSiC Semiconductor
MBR2X050A120
GeneSiC Semiconductor
MBR2X050A150
GeneSiC Semiconductor
XC7K70T-3FBG676E
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FGG256
Microsemi Corporation
5SGSMD5K2F40I2L
Intel
5AGXMA5D4F27I3N
Intel
5SGXMA7H3F35C4
Intel
EP3SL340H1152I4
Intel
LFE3-95EA-8FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M08SAM153C8G
Intel