casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / FZ1800R17HE4B9HOSA2
Número da peça de fabricante | FZ1800R17HE4B9HOSA2 |
---|---|
Número da peça futura | FT-FZ1800R17HE4B9HOSA2 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
FZ1800R17HE4B9HOSA2 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | - |
Configuração | Single Switch |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1700V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 1800A |
Potência - Max | 11500W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 1800A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 5mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 145nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FZ1800R17HE4B9HOSA2 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FZ1800R17HE4B9HOSA2-FT |
FS100R12KT4PB11BPSA1
Infineon Technologies
FS100R12KT4PBPSA1
Infineon Technologies
FS200R12KT4RPB11BPSA1
Infineon Technologies
FT150R12KE3GB4BDLA1
Infineon Technologies
FF450R12KT4HOSA1
Infineon Technologies
FD16001200R17HP4B2BOSA2
Infineon Technologies
FD16001200R17HP4KB2BOSA1
Infineon Technologies
FD800R17HP4KB2BOSA2
Infineon Technologies
FZ1200R17HP4B2BOSA2
Infineon Technologies
FZ1600R17HP4B21BOSA2
Infineon Technologies
A42MX36-3PQG240I
Microsemi Corporation
AGLN030V5-ZVQ100I
Microsemi Corporation
5SGXEA4K3F40C2LN
Intel
EP4SE820F43C3
Intel
XC7VX690T-L2FFG1157E
Xilinx Inc.
A40MX04-PLG84
Microsemi Corporation
A3PE1500-1FGG676I
Microsemi Corporation
A3P600-2FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG184C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HC-5BG332I
Lattice Semiconductor Corporation