casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / FD16001200R17HP4KB2BOSA1
Número da peça de fabricante | FD16001200R17HP4KB2BOSA1 |
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Número da peça futura | FT-FD16001200R17HP4KB2BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
FD16001200R17HP4KB2BOSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | - |
Configuração | Dual Brake Chopper |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1700V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 1600A |
Potência - Max | 1050W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.25V @ 15V, 1600A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 5mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 130nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FD16001200R17HP4KB2BOSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FD16001200R17HP4KB2BOSA1-FT |
APTGT200DH60G
Microsemi Corporation
APTGT200H120G
Microsemi Corporation
APTGT200H60G
Microsemi Corporation
APTGT200SK120G
Microsemi Corporation
APTGT200SK60T3AG
Microsemi Corporation
APTGT20H60T1G
Microsemi Corporation
APTGT20TL601G
Microsemi Corporation
APTGT225A170G
Microsemi Corporation
APTGT225DA170G
Microsemi Corporation
APTGT225DU170G
Microsemi Corporation
A3P125-TQG144
Microsemi Corporation
M1A3P400-2FG256
Microsemi Corporation
LFE2M70E-6FN1152I
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A3PN030-Z2VQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA4K1F40C2LN
Intel
5SGXMA4K3F40C2N
Intel
LCMXO640C-3B256I
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LFE3-17EA-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K30ABC356-4
Intel
EPF10K20RC208-4N
Intel