casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / FZ1200R17HE4HOSA2
Número da peça de fabricante | FZ1200R17HE4HOSA2 |
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Número da peça futura | FT-FZ1200R17HE4HOSA2 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
FZ1200R17HE4HOSA2 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | - |
Configuração | Single Switch |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1700V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 1200A |
Potência - Max | 7800W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 1200A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 5mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 97nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FZ1200R17HE4HOSA2 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FZ1200R17HE4HOSA2-FT |
FF800R12KF4
Infineon Technologies
FF800R17KE3NOSA1
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FS100R12KT4PB11BPSA1
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FS100R12KT4PBPSA1
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FD16001200R17HP4KB2BOSA1
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FD800R17HP4KB2BOSA2
Infineon Technologies
XCS10XL-5TQ144C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGLE3000V2-FG484I
Microsemi Corporation
EP4CGX50CF23C7N
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EP2S30F484C3N
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EP4CE22F17C9L
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EP4SGX180DF29C4N
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EP4SGX230DF29C4
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EPF10K50VQC240-1N
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EPF81500AQC240-3N
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