casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FQPF5N40
Número da peça de fabricante | FQPF5N40 |
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Número da peça futura | FT-FQPF5N40 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | QFET® |
FQPF5N40 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 400V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 3A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6 Ohm @ 1.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 460pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 35W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220F |
Pacote / caso | TO-220-3 Full Pack |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQPF5N40 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FQPF5N40-FT |
GP2M005A050HG
Global Power Technologies Group
GP2M005A060HG
Global Power Technologies Group
GP2M007A065HG
Global Power Technologies Group
GP2M008A060HG
Global Power Technologies Group
GP2M010A060H
Global Power Technologies Group
GP2M010A065H
Global Power Technologies Group
GP2M012A060H
Global Power Technologies Group
GP2M020A050H
Global Power Technologies Group
GA20JT12-263
GeneSiC Semiconductor
FCH76N60NF
ON Semiconductor
EX64-TQ100I
Microsemi Corporation
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
M1AFS600-2FG256I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F40I3N
Intel
XCS05-3PC84C
Xilinx Inc.
XC2V4000-5FFG1152I
Xilinx Inc.
AGL600V5-FGG144
Microsemi Corporation
EP3SL150F780C4LN
Intel
EPF10K30RC240-4N
Intel
EP1S60F1020C5N
Intel