casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / GP2M012A060H
Número da peça de fabricante | GP2M012A060H |
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Número da peça futura | FT-GP2M012A060H |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
GP2M012A060H Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 600V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650 mOhm @ 6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1890pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 231W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220 |
Pacote / caso | TO-220-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GP2M012A060H Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | GP2M012A060H-FT |
GP2M002A060PG
Global Power Technologies Group
GP2M002A065PG
Global Power Technologies Group
GP2M004A060PG
Global Power Technologies Group
GP2M004A065PG
Global Power Technologies Group
GP2M005A050PG
Global Power Technologies Group
GP2M005A060PG
Global Power Technologies Group
GP2M005A060PGH
Global Power Technologies Group
GP2M008A060PG
Global Power Technologies Group
GP2M008A060PGH
Global Power Technologies Group
GP1M009A090N
Global Power Technologies Group
LCMXO2-640HC-4SG48C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-1TQG144
Microsemi Corporation
XC6SLX75T-4FGG484C
Xilinx Inc.
A3P600L-1FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-FCG1152E
Microsemi Corporation
A40MX04-FPL68
Microsemi Corporation
AGLN250V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F45C3N
Intel
LFXP6E-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD4H3F35C4N
Intel