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GeneSiC Semiconductor GA20JT12-263

Número da peça MFG
GA20JT12-263
Quantidade disponível
28240 Peças
Preço de referência
USD 29.312
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Data de envio
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fabricante
GeneSiC Semiconductor
Descrição breve
- TRANS SJT 1200V 45A
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
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GA20JT12-263 Especificações

Número da peça de fabricante GA20JT12-263
Número da peça futura FT-GA20JT12-263
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series -
GA20JT12-263 Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Active
Tipo FET -
Tecnologia SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 1200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 45A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60 mOhm @ 20A
Vgs (th) (Max) @ Id -
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs -
Vgs (máx.) -
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3091pF @ 800V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 282W (Tc)
Temperatura de operação 175°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor D2PAK (7-Lead)
Pacote / caso TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
GA20JT12-263 Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição GA20JT12-263-FT

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