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ON Semiconductor FQH8N100C

Name: FQH8N100C
Brand: ON Semiconductor
SKU: FQH8N100C
Price: 3.032 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (29 reviews)

Número da peça MFG: FQH8N100C

Quantidade disponível: 50970 Peças

Preço de referência: USD 3.032

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fabricante: ON Semiconductor

Descrição breve: QFET® MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: FQH8N100C.pdf

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FQH8N100C Especificações

Número da peça de fabricante	FQH8N100C
Número da peça futura	FT-FQH8N100C
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	QFET®
FQH8N100C Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	1000V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	8A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.45 Ohm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	70nC @ 10V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3220pF @ 25V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	225W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	TO-247
Pacote / caso	TO-247-3
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQH8N100C Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	FQH8N100C-FT

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