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Global Power Technologies Group GP2M012A080NG

Name: GP2M012A080NG
Brand: Global Power Technologies Group
SKU: GP2M012A080NG
Availability: InStock
Rating: 4.9 (547 reviews)

Número da peça MFG: GP2M012A080NG

Quantidade disponível: 44210 Peças

Preço de referência: USD 0

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Global Power Technologies Group

Descrição breve: - MOSFET N-CH 800V 12A TO3PN

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: GP2M012A080NG.pdf

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GP2M012A080NG Especificações

Número da peça de fabricante	GP2M012A080NG
Número da peça futura	FT-GP2M012A080NG
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	-
GP2M012A080NG Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	800V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	12A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	650 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	79nC @ 10V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3370pF @ 25V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	416W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	TO-3PN
Pacote / caso	TO-3P-3, SC-65-3
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
GP2M012A080NG Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	GP2M012A080NG-FT

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