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Global Power Technologies Group GP2M023A050N

Número da peça MFG
GP2M023A050N
Quantidade disponível
28670 Peças
Preço de referência
USD 0
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Data de envio
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fabricante
Global Power Technologies Group
Descrição breve
- MOSFET N-CH 500V 23A TO3PN
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
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GP2M023A050N Especificações

Número da peça de fabricante GP2M023A050N
Número da peça futura FT-GP2M023A050N
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series -
GP2M023A050N Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 500V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 23A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 220 mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 64nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3270pF @ 25V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 347W (Tc)
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor TO-3PN
Pacote / caso TO-3P-3, SC-65-3
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
GP2M023A050N Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição GP2M023A050N-FT

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