casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FQD8P10TM-F085
Número da peça de fabricante | FQD8P10TM-F085 |
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Número da peça futura | FT-FQD8P10TM-F085 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
FQD8P10TM-F085 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 100V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 6.6A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 530 mOhm @ 3.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 470pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 2.5W (Ta), 44W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D-Pak |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQD8P10TM-F085 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FQD8P10TM-F085-FT |
IRLR7807ZTRPBF
Infineon Technologies
TK55S10N1,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK65S04N1L,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK7S10N1Z,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK90S06N1L,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage
IRLR2905ZPBF
Infineon Technologies
AUIRFR5410
Infineon Technologies
IXFY26N30X3
IXYS
IXTY1R6N100D2
IXYS
IXTY1R6N50D2
IXYS
A54SX32-TQG144I
Microsemi Corporation
XC4013XL-09PQ208C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-1FGG256I
Microsemi Corporation
LFE5UM5G-45F-8BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3SE260H780I4LN
Intel
AGLP060V5-CS289
Microsemi Corporation
A54SX32A-2TQG100I
Microsemi Corporation
10AX090N4F40E3SG
Intel
10AX115N3F40I3SGES
Intel