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Toshiba Semiconductor and Storage TK90S06N1L,LQ

Name: TK90S06N1L,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK90S06N1L,LQ
Price: 0.728 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (16 reviews)

Número da peça MFG: TK90S06N1L,LQ

Quantidade disponível: 60260 Peças

Preço de referência: USD 0.728

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Descrição breve: U-MOSVIII-H MOSFET N-CH 60V 90A DPAK

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: TK90S06N1L,LQ.pdf

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TK90S06N1L,LQ Especificações

Número da peça de fabricante	TK90S06N1L,LQ
Número da peça futura	FT-TK90S06N1L,LQ
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	U-MOSVIII-H
TK90S06N1L,LQ Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	90A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.3 mOhm @ 45A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 500µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	81nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	5400pF @ 10V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	157W (Tc)
Temperatura de operação	175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	TO-252-3
Pacote / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK90S06N1L,LQ Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	TK90S06N1L,LQ-FT

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