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Toshiba Semiconductor and Storage TK55S10N1,LQ

Número da peça MFG
TK55S10N1,LQ
Quantidade disponível
86780 Peças
Preço de referência
USD 0.97552
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Data de envio
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fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição breve
U-MOSVIII-H MOSFET N-CH 100V 55A DPAK
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
TK55S10N1,LQ.pdf
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TK55S10N1,LQ Especificações

Número da peça de fabricante TK55S10N1,LQ
Número da peça futura FT-TK55S10N1,LQ
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series U-MOSVIII-H
TK55S10N1,LQ Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 55A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5 mOhm @ 27.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 500µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 49nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3280pF @ 10V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 157W (Tc)
Temperatura de operação 175°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor DPAK+
Pacote / caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK55S10N1,LQ Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição TK55S10N1,LQ-FT

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