casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / TK55S10N1,LQ
Número da peça de fabricante | TK55S10N1,LQ |
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Número da peça futura | FT-TK55S10N1,LQ |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | U-MOSVIII-H |
TK55S10N1,LQ Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 100V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 55A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5 mOhm @ 27.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 500µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 49nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3280pF @ 10V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 157W (Tc) |
Temperatura de operação | 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DPAK+ |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TK55S10N1,LQ Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | TK55S10N1,LQ-FT |
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